莱凯 AMPD-D 高速放大型微波 InGaAs 光电探测器详细介绍

概述：

AMPD-D 是由宽带 InGaAs 光电二极管和低噪声放大器集成的光电混合器件。InGaAs PIN 光电二极管的响应波长为 1000 至 1650 纳米。低噪声放大器的射频增益为 30dB。

 AMPD-D 可提供 12GHz 和 20GHz 的带宽。模块工作电压为 +9V。它符合标准的单模 9/125μm 光纤输入。射频输出端口是一个 50 欧姆阻抗匹配的 SMA 兼容连接器。

 AMPD-D 采用密封设计，重量不到 23 克。

通过 ROHS 2.0 认证。

特点：

• 宽带宽 

• 集成偏置-T

• O/E 混合集成

• 高增益、低噪声、宽带

• 密封、SMA 连接器

技术规格：

参数            Sym        测试条件                         参数值                            单位

波长范围       λ               -                              1000 ～ 1650                    nm

频率范围                                                     X 波段 Ku 波段

小信号带宽 f-3dB    TC = 22 ± 3℃                0.3 ～ 12; 2 ～ 20             GHz

响应率         Re      VR =+9V;引脚 =10mW λ = 1310 nm ≥ 0.8 ≥ 0.85  A/W

                                               λ = 1550 nm    ≥ 0.85 ≥ 0.8

振幅平坦度  A       TC =-45～+85 ℃             ≤ ± 2                              dB

饱和光功率  Ps      VR = +9 V，λ = 1550 nm

交流调制                                                          +10                             dBm

射频信号增益   G        -                                  30 ± 1                           dB

饱和射频输出功率 Pout      -                            +10                            dBm

输出驻波比 VSWR              -                           ≤ 2                                -

输出阻抗 RL                       -                            50                                 Ω

典型应用：

• 雷达信息处理

• 电子战

• 天线测量